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三星芯片: 三星DRAM将采用8寸厂0.10微米制程(图)

作者:第三媒体     来源:www.TheThirdMedia.com     日期:2006-01-17

[摘要]  
   全球第一大DRAM厂三星电子(Samsung Electronics)近期将原预计采12寸厂最新70纳米制程投产新世代DRAM,突然决定改采8寸厂0.10微米制程,此举让DRAM业界大感意外。
 
[正文]    

三星芯片: 三星DRAM将采用8寸厂0.10微米制程(图)

   全球第一大DRAM厂三星电子(Samsung Electronics)近期将原预计采12寸厂最新70纳米制程投产新世代DRAM,突然决定改采8寸厂0.10微米制程。此举让DRAM业界大感意外,不过,三星此举对所有DRAM厂而言是个好消息,DRAM业者表示,可预期未来DRAM售价将有机会因而愈垫愈高,并猜测这亦是三星于1月上旬上调合约价10%的主因之一。

   据熟悉三星的通路及模块商透露,依据三星对旗下标准型DRAM制程技术最新规划进度,三星旗下12寸厂在A世代DRAM所采用制程技术为最老旧的0.11微米制程,进入B世代后,三星将制程提高至0.10微米,算是小幅度微调,进入C世代后,三星进一步将制程拉高至90纳米,如今到了D世代,根据三星既定产品规划进度,应会挺进至70奈米制程,但仍继续采用12寸厂。

   不过,根据三星最新版本产品规划进度,为全力进军NAND型快闪存储器(Flash)市场,三星决定大幅修正原先D世代DRAM制程技术及投产厂别,将制程技术由原本规划70奈米,降为0.10微米制程,且让所有DRAM厂大呼不可思议的是,投产厂由原本12寸厂回头改由8寸厂投片,此举对于三星整体DRAM产出量来说,将受到相当程度缩减。

   DRAM厂指出,三星于1月上旬大幅调高OEM计算机大厂合约报价,主因应是三星已知道接下来DRAM产出量增幅将受到相当程度限制,因此,在市场需求面仍属相对强劲情况下,才会做出大胆涨价动作。不过,由于三星早已认识到生产NAND型Flash获利贡献度较佳,降低标准型DRAM产能未必是件坏事,且对于台系DRAM厂来说,更是大好消息。

   由于台系DRAM厂持续扩增产能,且是采用最新制程投产未来市场主流规格DDRII,三星此举不仅有助于台厂提升全球DRAM市占率,台厂更可趁此千载难逢机会大赚一笔。

   DRAM厂强调,随着全球NAND型Flash市场依然处于成长状态,且售价仍将高于标准型DRAM,三星暂不会回头扩充标准型DRAM产能,因此,长期看来,对于大量采用12寸厂投产DRAM的台厂而言,可望在营运上维持成长状态。

   (第三媒体 2006-01-17)


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