据有关消息报道,海力士半导体宣布,已经使用40nm工艺完成了业界第一颗容量达2Gb(256MB)的GDDR5显存(编号H5GQ2H24MFR)。不过按照海力士的计划,这种40nm 2Gb GDDR5显存要到2010年下半年才会投入量产。或许能在AMD的下一代显卡上看到它们的身影。
除了密度最高,该显存的速度也是最快的,带宽达7Gbps,在32-bit I/O界面下每秒最多可处理28GB数据。除此之外,这种新型显存的工作电压也是只有1.35V,相比于50nm工艺芯片可降低20%的功耗。
(第三媒体 2009-12-22)