据有关消息报道，台湾“国研院”纳米元件实验室日前宣布，成功开发出全球首个16nm功能性SRAM（静态随机存储）单元，标志着16nm制程工艺的重大突破。目前全球各大半导体厂商的新工艺探索都还停留在22nm阶段，16nm元件由于面临着物理特性上的新课题以及制造设备的更新换代问题，一直止步不前。根据Intel日前公布的计划，他们最快要到2013年才会引入16nm工艺。应用16nm工艺，可在1cm2的面积中容纳150亿个晶体管，容量是现有45nm工艺的10倍，而功耗预计可降低一半。
台湾科研机构此次公布的新突破，可在300x130nm的尺度内容纳6个晶体管，该成果已经在上周末于美国巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上发表，分为3项关键技术：“纳米喷印成像技术”，“320度超低温微波活化”和“N型锗元件研究”。“纳米喷印成像技术”（Nano-Injection Lithography）无需使用光阻和光罩，用成本最低的印刷方式进行半导体制造光学成像，将传统光学微影成像技术10nm左右的物理极限提高到5nm。“320度超低温微波活化”则可将传统900摄氏度以上的退火温度降低到320度，是堆叠半导体制造的关键技术。另外，“N型锗元件研究”则希望从16nm工艺开始，由锗替代硅成为半导体元件的主要元素。
（第三媒体 2009-12-17）
