深圳市瑞耐斯技术有限公司(www.renice-tech.com)近日发布支持3D Nand Flash开发的功能强大的测试设备NFA100-E。
2015年,samsung、intel、Micron相继发布基于3D封装技术的Nand Flash,3D Nand Flash在同样大小的封装面积上大幅增加了容量,3D Nand Flash厂商公开资料多为简单的产品介绍,对于有能力拿到3D Nand Flash样品的厂商而言,如何测试其各项参数无疑成为开发者面临的重要课题。
瑞耐斯闪存芯片测试仪NFA100-E是专为企业研发人员、国家科研机构、高校教学研究从事闪存芯片开发或者固态硬盘主控芯片开发需要而设计。
NFA100-E功能非常彪悍,可以支持目前市面上所有厂商同步、异步的MLC、SLC、TLC包括TSOP48、BGA63、BGA100、BGA132、BGA152等所有封装类型。
作为特殊测试用途的支持,研发人员还可以用来配合测试LDPC,测试Nand Flash电压拉偏、物理烧毁,同时,NFA100-E还提供了专门用于高低温测试的解决方案。
NFA100-E提供了API和脚本两种开发模式,通过脚本,NFA100-E可以实现对Nand Flash每个page和每个Block的任何测试模式,如:设定对page或者Block的不同时间间隔做不同次数的读、写、擦除操作等,甚至可以对page或者Block非规律的跳跃性测试。
NFA100-E的基础功能包括:坏块扫描和管理、对Nand Flash进行任意命令的测试并反馈测试结果、进行基本的P/E cycle测试、测试Nand Flash的原始误码率(RBER)以及4组不同ECC强度下的不可纠错误码率(UBER)、测试数据保存时间(Data Retention)、编程干扰(Program Disturb)、Block、page的读写擦的操作时间测试以及快页(Upper page)慢页(Lower Page)分布分析等。
(新闻稿 2016-03-29)